Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N5408

1N5408
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1N5408. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 22:25.

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