Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B
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25 - 49 0.17€ 0.21€
50 - 99 0.16€ 0.19€
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250 - 287 0.14€ 0.17€
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B. Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 500. Ganancia mínima de hFE: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 6V. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 20:25.

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Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 65V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-92. Costo): 6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 0.2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.09V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) BC556B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC546B
Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 65V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-92. Costo): 6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 0.2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.09V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) BC556B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N3904

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BC637
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. C(pulg): 50pF. Costo): 7pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 90. Ic (pulso): 0.2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.09V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) BC556A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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