Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V - BC560CG

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V - BC560CG
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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V - BC560CG. Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementario (par) BC550C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 29/06/2025, 15:25.

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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 380. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC550C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V
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