Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.60€ | 0.73€ |
5 - 9 | 0.57€ | 0.69€ |
10 - 24 | 0.54€ | 0.65€ |
25 - 49 | 0.46€ | 0.56€ |
50 - 99 | 0.44€ | 0.53€ |
100 - 149 | 0.41€ | 0.50€ |
150 - 392 | 0.38€ | 0.46€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.60€ | 0.73€ |
5 - 9 | 0.57€ | 0.69€ |
10 - 24 | 0.54€ | 0.65€ |
25 - 49 | 0.46€ | 0.56€ |
50 - 99 | 0.44€ | 0.53€ |
100 - 149 | 0.41€ | 0.50€ |
150 - 392 | 0.38€ | 0.46€ |
Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC857C. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3 G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código CMS 3G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 05:25.
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