Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, TO-220, 5A, TO-220, 100V - BD241C

Transistor NPN, TO-220, 5A, TO-220, 100V - BD241C
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1 - 4 0.70€ 0.85€
5 - 9 0.66€ 0.80€
10 - 24 0.64€ 0.77€
25 - 49 0.63€ 0.76€
50 - 99 0.61€ 0.74€
100 - 249 0.54€ 0.65€
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Transistor NPN, TO-220, 5A, TO-220, 100V - BD241C. Transistor NPN, TO-220, 5A, TO-220, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD242C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V. Resistencia B: Potencia. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: TO220. C(pulg): 40W. Costo): 115V. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 24/07/2025, 03:25.

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TIP32C

TIP32C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (se...
TIP32C
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: PNP TRANS 100V 3. Fecha de producción: 201448. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP31C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
TIP32C
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: PNP TRANS 100V 3. Fecha de producción: 201448. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP31C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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BD241C-ST

BD241C-ST

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (se...
BD241C-ST
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD242C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V
BD241C-ST
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD242C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V
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