Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0860€ | 0.1041€ |
10 - 24 | 0.0817€ | 0.0989€ |
25 - 49 | 0.0774€ | 0.0937€ |
50 - 99 | 0.0731€ | 0.0885€ |
100 - 249 | 0.0688€ | 0.0832€ |
250 - 499 | 0.0645€ | 0.0780€ |
500 - 3916 | 0.0602€ | 0.0728€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0860€ | 0.1041€ |
10 - 24 | 0.0817€ | 0.0989€ |
25 - 49 | 0.0774€ | 0.0937€ |
50 - 99 | 0.0731€ | 0.0885€ |
100 - 249 | 0.0688€ | 0.0832€ |
250 - 499 | 0.0645€ | 0.0780€ |
500 - 3916 | 0.0602€ | 0.0728€ |
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 25V - BF199. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Costo): 3.5pF. Material semiconductor: silicio. FT: 1100 MHz. Función: TV-IF. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v. Resistencia B: transistor NPN. Resistencia BE: RF-POWER. C(pulg): 25V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 14:25.
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