Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245B

Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245B
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1 - 4 1.41€ 1.71€
5 - 9 1.34€ 1.62€
10 - 24 1.30€ 1.57€
25 - 38 1.27€ 1.54€
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Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245B. Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 6mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1.6V. Producto original del fabricante Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 09:25.

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Transistor de canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 6mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 21*. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 6mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1.6V
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Transistor de canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 6mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 21*. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 6mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1.6V
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Transistor de canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 9mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 4.5pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: Uni sym. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor JFET de uso general. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 3.5V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1V
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Transistor de canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 9mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 4.5pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: Uni sym. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor JFET de uso general. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 3.5V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1V
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