Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.55€ | 0.67€ |
10 - 24 | 0.52€ | 0.63€ |
25 - 49 | 0.50€ | 0.61€ |
50 - 99 | 0.47€ | 0.57€ |
100 - 249 | 0.46€ | 0.56€ |
250 - 499 | 0.45€ | 0.54€ |
500 - 1482 | 0.42€ | 0.51€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.55€ | 0.67€ |
10 - 24 | 0.52€ | 0.63€ |
25 - 49 | 0.50€ | 0.61€ |
50 - 99 | 0.47€ | 0.57€ |
100 - 249 | 0.46€ | 0.56€ |
250 - 499 | 0.45€ | 0.54€ |
500 - 1482 | 0.42€ | 0.51€ |
Transistor de canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BF545C. Transistor de canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. IDss (mín.): 12mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 22*. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 12mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 22:25.
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