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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 100V, SOT23 - BSS123

Transistor de canal N, 100V, SOT23 - BSS123
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Cantidad (Conjunto de 10) sin IVA IVA incl.
1 - 1 1.32€ 1.60€
2 - 2 1.25€ 1.51€
3 - 4 1.19€ 1.44€
5 - 9 1.16€ 1.40€
10 - 24 1.08€ 1.31€
25 - 49 1.04€ 1.26€
50 - 2849 0.88€ 1.06€
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Conjunto de 10

Transistor de canal N, 100V, SOT23 - BSS123. Transistor de canal N, 100V, SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda: SOT23. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 150mA. Rds on (max) @ id, VGS: 6 Ohms / 120mA / 10V. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: ±20V. Temperatura de funcionamiento: 150°C. Tipo de montaje: SMD. MSL: 1. Producto original del fabricante Nexperia. Cantidad en stock actualizada el 25/07/2025, 20:25.

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BSS123-ONS

BSS123-ONS

Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=2...
BSS123-ONS
Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 6 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 20pF. Costo): 9pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: serigrafía/código SMD SA. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 680mA. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Modo de mejora del nivel lógico del transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V
BSS123-ONS
Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 6 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 20pF. Costo): 9pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: serigrafía/código SMD SA. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 680mA. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Modo de mejora del nivel lógico del transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V
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