Transistor de canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123

Transistor de canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123. Transistor de canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 23pF. Costo): 6pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: serigrafía/código SMD SA. Identificación (diablillo): 600mA. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: SA. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.