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Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V - BUW13A

Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V - BUW13A
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1 - 1 10.65€ 12.89€
2 - 2 10.12€ 12.25€
3 - 4 9.59€ 11.60€
5 - 9 9.05€ 10.95€
10 - 14 8.84€ 10.70€
15 - 19 8.63€ 10.44€
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Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V - BUW13A. Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 175W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 03:25.

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Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 450V, 1000V, 15A. Vivienda: TO-247. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Voltaje colector-emisor VCEO: 1000V. Corriente del colector: 15A. RoHS: sí. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUV48A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 450V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 8:1. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 7V. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: NPN. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
BUV48A
Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 450V, 1000V, 15A. Vivienda: TO-247. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Voltaje colector-emisor VCEO: 1000V. Corriente del colector: 15A. RoHS: sí. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUV48A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 450V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 8:1. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 7V. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: NPN. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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