Transistor de canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A-INF
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| 1 - 4 | 2.52€ | 3.05€ |
| 5 - 9 | 2.39€ | 2.89€ |
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A-INF. Transistor de canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 0.1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Tecnología: V-MOS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1
Transistor de canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1
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