BYT30P-1000

BYT30P-1000. Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V. Número de terminales: 2. Nota: pieza metálica conectada al cátodo. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.