BYV29-500

BYV29-500. Corriente directa (AV): 9A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Producto original del fabricante Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 10:25.