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Circuitos de memoria RAM

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R1LV0408DSP-5SI-S0

R1LV0408DSP-5SI-S0

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). ...
R1LV0408DSP-5SI-S0
RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO32W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: R1LV. Tamaño de memoria [byte]: 512 KByte. Configuración de memoria: 512K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +3.6V
R1LV0408DSP-5SI-S0
RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO32W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: R1LV. Tamaño de memoria [byte]: 512 KByte. Configuración de memoria: 512K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +3.6V
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