Circuitos de memoria RAM

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Familia de circuitos de memoria: 23LC. Tamaño de memoria [byte]: 1Mbit. Configuración de memoria: 128K x 8-bit. Tipo de interfaz: SPI. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 20 MHz. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus serie.. Tensión de alimentación mínima (V): +2.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus serie.. Familia de circuitos de memoria: 47L. Tamaño de memoria [byte]: 512 Byte. Configuración de memoria: 512x8-bit. Tipo de interfaz: I2C. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +3.6V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP24. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 24. Tamaño de memoria [byte]: 2 KByte. Configuración de memoria: 2K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 100 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: U62. Tamaño de memoria [byte]: 128 KByte. Configuración de memoria: 128K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 70 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO28W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 28. Familia de circuitos de memoria: U62. Tamaño de memoria [byte]: 8 KByte. Configuración de memoria: 8K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 70 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO28W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 28. Familia de circuitos de memoria: U62H. Tamaño de memoria [byte]: 32 KByte. Configuración de memoria: 32K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP28. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 28. Familia de circuitos de memoria: A62. Tamaño de memoria [byte]: 8 KByte. Configuración de memoria: 8K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 70 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: AS6C. Tamaño de memoria [byte]: 128 KByte. Configuración de memoria: 128K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO32W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: AS6C. Tamaño de memoria [byte]: 128 KByte. Configuración de memoria: 128K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO32W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: AS6C. Tamaño de memoria [byte]: 128 KByte. Configuración de memoria: 128K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO32W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: AS6C. Tamaño de memoria [byte]: 512 KByte. Configuración de memoria: 512K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO28W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 28. Familia de circuitos de memoria: AS6C. Tamaño de memoria [byte]: 32 KByte. Configuración de memoria: 32K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP28. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 28. Familia de circuitos de memoria: AS6C. Tamaño de memoria [byte]: 32 KByte. Configuración de memoria: 32K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 70 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TSOP28. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 28. Familia de circuitos de memoria: BS62LV. Tamaño de memoria [byte]: 32 KByte. Configuración de memoria: 32K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 70 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.4V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: BS62LV. Tamaño de memoria [byte]: 512 KByte. Configuración de memoria: 512K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.4V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP24. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 24. Familia de circuitos de memoria: DS12. Tamaño de memoria [byte]: 2 KByte. Configuración de memoria: 2K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 100 ns. Tipo de memoria: SRAM respaldada por batería, acceso paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP28. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 28. Familia de circuitos de memoria: DS12. Tamaño de memoria [byte]: 8 KByte. Configuración de memoria: 8K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 150 ns. Tipo de memoria: SRAM respaldada por batería, acceso paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TSOP2-44. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 44. Familia de circuitos de memoria: IS61LV. Tamaño de memoria [byte]: 256 KByte. Configuración de memoria: 128K x 16-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 10 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +3V. Tensión de alimentación máxima (V): +3.6V

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TSOP2-32. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: K6R. Tamaño de memoria [byte]: 128 KByte. Configuración de memoria: 128K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 10 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TSOP2-F32. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: K6T. Tamaño de memoria [byte]: 512 KByte. Configuración de memoria: 512K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP24. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 24. Familia de circuitos de memoria: M48T. Tamaño de memoria [byte]: 2 KByte. Configuración de memoria: 2K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 70 ns. Tipo de memoria: SRAM respaldada por batería, acceso paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.75V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP28. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 28. Familia de circuitos de memoria: M48Z. Tamaño de memoria [byte]: 8 KByte. Configuración de memoria: 8K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 100 ns. Tipo de memoria: SRAM respaldada por batería, acceso paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.75V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V. Vivienda (norma JEDEC): Montaje mediante orificio pasante en PCB

RoHS: sí. Familia de componentes: circuito integrado de interfaz. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO16. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 16. Número de circuitos de control: 0. Número de circuitos receptores: 4. Tipo de comunicación: Duplex. Desactivable: sí. Velocidad de comunicación [bit]: 10Mbit. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Tipo de circuitos: interfaz serie, receptor diferencial. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V. Número de circuitos receptores en la línea, máx.: 128

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO32W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: R1LP. Tamaño de memoria [byte]: 512 KByte. Configuración de memoria: 512K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO32W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Familia de circuitos de memoria: R1LV. Tamaño de memoria [byte]: 512 KByte. Configuración de memoria: 512K x 8-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 55 ns. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +2.7V. Tensión de alimentación máxima (V): +3.6V