Función: Conmutación MOSFET e IGBT de potencia eficiente . Nota: 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers. Nota: alta velocidad. Nota: tr 9ns, tf 8ns (Cload=1000pF Vcc=18v). Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. VCC: 4.5...35V. Tensión de alimentación: 40V