Función: 1 x MOSFET Gate Driver. Nota: Inverting. Nota: alta velocidad. Nota: délais courts < 78ns. Nota: Protección ESD 4kV. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 470mW. RoHS: sÃ. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: 0...+70°C. VCC: 4.5...30V. Tensión de alimentación: 36V