Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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DB102G. VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 1A. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Trifásico: 0. IFSM: 30A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.

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