Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. IFSM: 102A. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO218AB 13.5x10mm. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. VRRM: 40V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM 700Ap/8.3ms 6600W, T=10/1000us