Diodos Zener

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 12V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Fecha de producción: 2014/50. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. VRRM: 12V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: miniMELF. Vivienda (norma JEDEC): SOD80. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado en superficie (SMD). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 13V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SI-Z SMD. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. VRRM: 13V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 18V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 22V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD-Z. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. VRRM: 22V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 24V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Fecha de producción: 2015/05. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. VRRM: 24V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 2.4V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 2.7V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. VRRM: 2.7V. Número de terminales: 2. Nota: SI-Z SMD. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 30 v. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Número de terminales: 2. Nota: SI-Z SMD. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Voltaje zener: 36V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Dimensiones: 3.4x1.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: SI-Z SMD

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 3V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 40uA. Resonancia magnética (mín.): 4uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Número de terminales: 2. Nota: SI-Z SMD. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 3.3V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 40uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 3.6V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Fecha de producción: 2012/48. Resonancia magnética (máx.): 40uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 3.9V. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. VRRM: 3.9V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Material semiconductor: silicio. Paso: 3.4x1.6mm. VRRM: 43V. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 4.3V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Número de terminales: 2. Nota: SI-Z SMD. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 4.7V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo Zener. Fecha de producción: 2014/45. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 0.5uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Número de terminales: 2. Nota: SI-Z SMD. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 5.6V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SI-Z SMD. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 6.8V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Fecha de producción: 2014/44. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. VRRM: 6.8V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Voltaje zener: 7.5V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tolerancia: 5%. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. VRRM: 7.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80. Voltaje zener: 9.1V. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). VRRM: 9.1V. Número de terminales: 2. Nota: 3.4x1.6mm. Nota: SI-Z SMD. Cantidad por caja: 1

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMA. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMA. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 0.8V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMA. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMC. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AB. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 150V. Disipación máxima Ptot [W]: 3W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo zener de 3W, Componente montado en superficie (SMD). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C