Diodos Zener

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 120V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 130V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 130V

Vivienda: DO-41. Voltaje zener: 15V. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 150V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: Z150. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 150V

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 160V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 18V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Voltaje zener: 180V. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-15. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 20V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: Z200. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 22V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 24V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 27V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 30 v. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: DO-41. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 33V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 17V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 8 Ohms @ 25mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-15. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 39V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 47V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 47V

Vivienda: DO-41. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 56V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: DO-41. Voltaje zener: 6.2V. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 6.2V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 6.2V

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 62V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 62V

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-15. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 68V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 7.5V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Vivienda: DO-41. Voltaje zener: 8.2V. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). VRRM: 8.2V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C