Diodos Zener

Corriente directa (AV): 130mA. Nota: Hilo M4. Tolerancia: 5%. VRRM: 8.2V

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Voltaje zener: 10V. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. VRRM: 10V

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 100V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 100V

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 110V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 110V

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 12V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 120V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 130V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 130V

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 15V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Voltaje zener: 15V. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 150V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: Z150. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 150V

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 160V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 18V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Voltaje zener: 18V. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-15. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 180V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Voltaje zener: 180V. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-15. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 20V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: Z200. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 22V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 24V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Voltaje zener: 24V. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 27V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Voltaje zener: 27V. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. VRRM: 27V

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 30 v. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 33V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 33V

Voltaje zener: 36V. Vivienda: DO-15. Tipo de diodo: diodo Zener. Potencia: 2W

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-15. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 39V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 47V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 47V

Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 5.6V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 56V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C