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Diodos Zener

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ZY82

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Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Z...
ZY82
Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 82V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
ZY82
Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-41. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 82V. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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ZY9-1

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Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( ...
ZY9-1
Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 9.1V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 9.1V
ZY9-1
Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 9.1V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 9.1V
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