Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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ZY9-1

ZY9-1
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1 - 2 0.66€ 0.80€
3 - 4 0.62€ 0.75€
5 - 9 0.59€ 0.71€
10 - 19 0.56€ 0.68€
20 - 49 0.25€ 0.30€
50 - 99 0.24€ 0.29€
100 - 2127 0.22€ 0.27€
Cantidad (Conjunto de 5) U.P
1 - 2 0.66€ 0.80€
3 - 4 0.62€ 0.75€
5 - 9 0.59€ 0.71€
10 - 19 0.56€ 0.68€
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100 - 2127 0.22€ 0.27€
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Conjunto de 5

ZY9-1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Voltaje zener: 9.1V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.

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Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (norma JEDEC): 5W. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 5W (75°C), 5%, serie 1N53
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Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (norma JEDEC): 5W. Tensión de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Impedancia Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: Diodo Zener, potencia 5W (75°C), 5%, serie 1N53
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BZV85C9V1

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Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41....
BZV85C9V1
Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 9.1V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C
BZV85C9V1
Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. Voltaje zener: 9.1V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.6x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C
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