DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V

DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.43€
5-24
2.15€
25-49
1.94€
50-99
1.78€
100+
1.55€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 42

DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AC. Corriente directa [A]: 11A. Corriente directa (AV): 11A. IFSM: 75A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 250uA..4mA. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Familia de componentes: Diodo rectificador rápido (tr<500ns). Función: Recuperación rápida. Ifsm [A]: 80A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 78W. RoHS: sí. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnología: Diodo epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tensión directa Vf (mín.): 2.2A. Tensión umbral Vf (máx): 2.6V. Unidad de acondicionamiento: 50. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 70 ns. [V]: 2.6V @ 12A. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 11:43

Documentación técnica (PDF)
DSEI12-12A
33 parámetros
Vivienda
TO-220
Vivienda (norma JEDEC)
TO-220AC
Corriente directa [A]
11A
Corriente directa (AV)
11A
IFSM
75A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AC
VRRM
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
250uA..4mA
Diodo Trr (Mín.)
50 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Familia de componentes
Diodo rectificador rápido (tr<500ns)
Función
Recuperación rápida
Ifsm [A]
80A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
78W
RoHS
Spec info
75Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnología
Diodo epitaxial
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
1.2 kV
Tensión directa Vf (mín.)
2.2A
Tensión umbral Vf (máx)
2.6V
Unidad de acondicionamiento
50
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
70 ns
[V]
2.6V @ 12A
Producto original del fabricante
IXYS

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