DSEI2X101-12A

DSEI2X101-12A. Corriente directa (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 15mA. Resonancia magnética (mín.): 1.5mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Tiempo de entrega: KB. Montaje/instalación: tornillo. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.87V. Tensión directa Vf (mín.): 1.61V. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Nota: diodo epitaxial, alta corriente. Nota: 900App/10ms, 45°C. Función: diodo dual de recuperación rápida. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.