Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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EGP20B

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10 - 24 0.45€ 0.54€
25 - 49 0.44€ 0.53€
50 - 99 0.43€ 0.52€
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EGP20B. Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Producto original del fabricante Ge (tungsram). Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 18:25.

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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador rápido (tr<500ns). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOD-57. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tensión directa Vfmax (V): 1.07V @ 3A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 1uA..150uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 25 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Vivienda (norma JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.07V. Tensión directa Vf (mín.): 0.88V. VRRM: 200V
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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador rápido (tr<500ns). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOD-57. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tensión directa Vfmax (V): 1.07V @ 3A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 1uA..150uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 25 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Vivienda (norma JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.07V. Tensión directa Vf (mín.): 0.88V. VRRM: 200V
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Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms
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Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms
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EGP20G

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Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). ...
EGP20G
Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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