Transistor de canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V - FDC642P-F085

Transistor de canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V - FDC642P-F085. Transistor de canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SSOT. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 630pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 250uA. Nota: serigrafía/código SMD FDC642P. Marcado en la caja: FDC642P. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.2W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0525 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23.5 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Función: interruptor de carga, protección de batería. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.