Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - FDD5690

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - FDD5690. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.023 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FDD5690. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 24 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1110pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.