Transistor de canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V - FDD770N15A

Transistor de canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V - FDD770N15A. Transistor de canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. DI (T=100°C): 11.4A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 61m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 575pF. Costo): 64pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Nota: High performance trench technology. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 56.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15.8 ns. Td(encendido): 10.3 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Función: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: Resistencia RDS(on) extremadamente baja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 19:25.