Transistor de canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FDP18N50

Transistor de canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FDP18N50. Transistor de canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 10.8A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.22 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2200pF. Costo): 330pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 235W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: N-Channel MOSFET (UniFET). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.