Transistor de canal P, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435A

Transistor de canal P, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435A. Transistor de canal P, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2010pF. Costo): 590pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 12 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: canal P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 23:25.