Transistor de canal P, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS6679AZ

Transistor de canal P, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS6679AZ. Transistor de canal P, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2890pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 65A. DI (T=100°C): n/a. IDss (mín.): n/a. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 7.7m Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 23:25.