Transistor de canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS8884

Transistor de canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS8884. Transistor de canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 19m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 475pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 5 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 04:25.