Transistor MOSFET FDS8962C

Transistor MOSFET FDS8962C. Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor MOSFET dual, Canales N y P, PowerTrench . Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Cantidad por caja: 2. Función: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.