Transistor de canal P, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - FDV304P

Transistor de canal P, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - FDV304P. Transistor de canal P, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. DI (T=25°C): 0.46A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 25V. RoHS: sí. C(pulg): 63pF. Costo): 34pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: MOSFET. Función: Baja carga de entrada. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1.5A. DI (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 304. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.22 Ohms. Spec info: Voltaje de operación de la puerta tan bajo como 2,5 V. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.65V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 18:25.