Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V - FGA60N65SMD

Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V - FGA60N65SMD. Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. C(pulg): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 47ms. Corriente del colector: 60.4k Ohms. Ic (pulso): 180A. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 104 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Field Stop IGBT . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Inversor solar, UPS, Estación de soldadura, PFC, Telecomunicaciones, ESS. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 00:25.