Transistor de canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V - FQA10N80C

Transistor de canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V - FQA10N80C. Transistor de canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. DI (T=100°C): 6.32A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.93 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2150pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 730 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: FQA10N80C. Pd (disipación de potencia, máx.): 240W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 44 nC). Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.