Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms - FQA13N80-F109

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms - FQA13N80-F109. Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 800V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.58 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 155 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. C(pulg): 2700pF. Costo): 275pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 850 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 44 nC). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50.4A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Producto original del fabricante Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 08:25.