Transistor de canal N, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - FQA19N60

Transistor de canal N, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - FQA19N60. Transistor de canal N, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. DI (T=100°C): 11.7A. DI (T=25°C): 18.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2800pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 74A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 65 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 44 nC). Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 16:25.