Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.63€ | 1.97€ |
5 - 9 | 1.55€ | 1.88€ |
10 - 24 | 1.47€ | 1.78€ |
25 - 49 | 1.39€ | 1.68€ |
50 - 90 | 1.36€ | 1.65€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.63€ | 1.97€ |
5 - 9 | 1.55€ | 1.88€ |
10 - 24 | 1.47€ | 1.78€ |
25 - 49 | 1.39€ | 1.68€ |
50 - 90 | 1.36€ | 1.65€ |
Transistor de canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V - FQD19N10L. Transistor de canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. DI (T=100°C): 9.8A. DI (T=25°C): 15.6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.074 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 670pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Identificación (diablillo): 62.4A. IDss (mín.): 1uA. Equivalentes: FQD19N10LTM. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 14:25.
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