Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V - FQD19N10L

Transistor de canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V - FQD19N10L
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1 - 4 1.63€ 1.97€
5 - 9 1.55€ 1.88€
10 - 24 1.50€ 1.82€
25 - 49 1.47€ 1.78€
50 - 90 1.44€ 1.74€
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Transistor de canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V - FQD19N10L. Transistor de canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. DI (T=100°C): 9.8A. DI (T=25°C): 15.6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.074 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 670pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 62.4A. IDss (mín.): 1uA. Equivalentes: FQD19N10LTM. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 09/06/2025, 05:25.

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Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.105 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 800pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V
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