Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor de canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - FQPF12N60C

Transistor de canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - FQPF12N60C
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1 - 4 4.04€ 4.89€
5 - 9 3.84€ 4.65€
10 - 24 3.72€ 4.50€
25 - 49 3.64€ 4.40€
50 - 99 3.56€ 4.31€
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Transistor de canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - FQPF12N60C. Transistor de canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 7.4A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.53 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1760pF. Costo): 182pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 51W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 17/06/2025, 20:25.

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STF18NM60N

STF18NM60N

Transistor de canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI...
STF18NM60N
Transistor de canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1000pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 18NM60. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
STF18NM60N
Transistor de canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1000pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 18NM60. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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STF13NM60N

STF13NM60N

Transistor de canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. D...
STF13NM60N
Transistor de canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 790pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 13NM60N. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
STF13NM60N
Transistor de canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 790pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 13NM60N. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
Conjunto de 1
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