Transistor de canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20C

Transistor de canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20C. Transistor de canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.14 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 830pF. Costo): 195pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 208 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 76A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 43W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 135 ns. Td(encendido): 15 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.