Transistor de canal N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - FQPF5N50C

Transistor de canal N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - FQPF5N50C. Transistor de canal N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.14 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 480pF. Costo): 80pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 263 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 18 nC, Crss bajo 15 pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.