Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF9N90C

Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF9N90C. Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.12 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 40 nC, Crss bajo 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.