Transistor de canal N, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V - FQT4N20LTF

Transistor de canal N, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V - FQT4N20LTF. Transistor de canal N, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 0.55A. DI (T=25°C): 0.85A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 240pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 3.4A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 7 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Costo): 36pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.