Transistor de canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322

Transistor de canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. Transistor de canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P( GCE ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Función: Conmutación del inversor de resonancia de corriente . Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 30A. Ic (pulso): 100A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 400 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.1V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 17:25.