Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG10N120BND

Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG10N120BND. Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Corriente del colector: 35A. Ic (pulso): 80A. Marcado en la caja: 10N120BND. Pd (disipación de potencia, máx.): 298W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: Transistor IGBT serie NPT con diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.8V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.