Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D

Transistor IGBT HGTG20N60A4D
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1 - 1 9.20€ 11.13€
2 - 2 8.74€ 10.58€
3 - 4 8.28€ 10.02€
5 - 9 7.82€ 9.46€
10 - 14 7.64€ 9.24€
15 - 19 7.45€ 9.01€
20 - 149 8.02€ 9.70€
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): 35 ns. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 20N60A4D. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 70A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 73 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 7V. Disipación máxima Ptot [W]: 290W. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Corriente máxima del colector (A): 280A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 23:25.

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HGTG30N60A4D
Transistor de canal N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Vivienda: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. RoHS: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corriente del colector: 75A. Ic (pulso): 240A. Marcado en la caja: 30N60A4D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 463W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS
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