Transistor IGBT HGTG20N60B3

Transistor IGBT HGTG20N60B3. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): UFS Series IGBT. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: HG20N60B3. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 220 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 165W. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Corriente máxima del colector (A): 160A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 03:25.