Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4
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3 - 4 9.01€ 10.90€
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Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4. Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: SMPS Series IGBT. Corriente del colector: 75A. Ic (pulso): 240A. Marcado en la caja: G30N60A4. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 463W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.

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Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 4550pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: Operación de alta frecuencia hasta 50KHz. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 200A. Marcado en la caja: GW40NC60V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 43 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.75V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS
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